İnce Film Üretim Laboratuvarları

‍4 adet efussion fırını ile 1300 oC ye kadar sıcaklıklara çıkabilen fırınları olup, 1 adet RF ve 1 adet DC saçtırma sistemi ile iletken ve yalıtkan malzemeleri buharlaştırarak alt taşlara kaplama yapılabilmektedir. Alt taş üzerine biriktirilen kaplama kalınlığı 5 adet kalınlık monitörü ile kontrol edilebilmektedir. Ayrıca yatay eksende kaplanacak numune döndürülebilmektedir.

  • Sistem 1 x 10-7 Torr vakum seviyesine kadar düşebilmektedir.
  • LN2 “cold finger” bulunmaktadır.
  • 15 cm çaplı dairesel örnek alanına sahiptir.
  • 3 - 30 devir/dk örnek döndürme hızına sahiptir.
  • 500 °C örnek-alttaş ısıtma ve  ±1 °C sıcaklık kontrolüne sahiptir.
  • 4 adet 10 VAC x 300A, 3000 Watt AC, dört kanal ardışık-eş buharlaştırma güç kaynağı vardır.
  • 5 kanallı, kalınlık ölçme ve kontrol birimi mevcuttur.
  • Uygun seramik potalar kullanılarak organik malzeme de buharlaştırılabilmektedir.
  • 1 adet 2,5 inç saçtırma kafasına sahiptir.
  • 300 Watt’lık 1 adet RF güç kaynağı, 1500 Watt’lık DC güç kaynağına sahiptir.
  • Ar, N2 ve O2 üç adet gaz hatlıdır.
  • Sistem 15 cm çap için  ±%5 kalınlık homojenitesinde kaplama yapabilmektedir.

 

         

 

‍Her türlü malzeme solüsyonu (asidik ve agresif çözeltiler dahil) yanında CIGS ve CIS gibi malzemeleri ultrasonik frekanslarda püskürtebilmekte ve ayrıca yakıt hücreleri için membran ara yüzeyleri kaplayabilmektedir. Bunu yaparken soygaz (azot gazı) ortamında %3 oksijen seviyesinden daha düşük seviyelere ulaşarak 500 oC’ ye kadar alt taş sıcaklığa çıkarak kaplama yapılabilmektedir.

  • 45 x 45 cm2’lik alanlar kaplanabilmektedir.
  • 120 kHz ve 80 kHz olmak üzere 2 adet ultrasonik çırpıştırıcıya sahiptir.
  • Nozzle’in bağlı bulunduğu hareket mekanizması x,y ve z olmak üzere üç boyutta hareket edebilmektedir.
  • Örnek-alttaş tutucu 500 °C’ye kadar çıkabilmektedir.
  • Asidik solüsyonların kaplanmasına imkan sağlamaktadır.
  • Kaplama esnasında solüsyonların ortamda reaksiyona girmemesi için N2 inert gazı kullanılmaktadır ve bu gaz sayesinde oksijen seviyesi %3’in altına indirilerek kaplama yapılabilmektedir.